A causa della rarità della moissanite naturale, la maggior parte del carburo di silicio è sintetico.Viene utilizzato come abrasivo e, più recentemente, come semiconduttore e simulante del diamante di qualità gemma.Il processo di produzione più semplice consiste nel combinare sabbia silicea e carbonio in un forno a resistenza elettrica di grafite Acheson ad alta temperatura, tra 1.600 ° C (2.910 ° F) e 2.500 ° C (4.530 ° F).Le particelle fini di SiO2 nel materiale vegetale (ad esempio la lolla di riso) possono essere convertite in SiC riscaldando il carbonio in eccesso dal materiale organico.Anche i fumi di silice, che sono un sottoprodotto della produzione di silicio metallico e leghe di ferrosilicio, possono essere convertiti in SiC riscaldando con grafite a 1.500 ° C (2.730 ° F).
F12-F1200, P12-P2500
0-1 mm, 1-3 mm, 6/10, 10/18, 200 maglie, 325 maglie
Altre specifiche speciali potrebbero essere fornite su richiesta.
Grinta | Sì | FC | Fe2O3 |
F12-F90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
F100-F150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
F180-F220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
F230-F400 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
F500-F800 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
F1000-F1200 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
P12-P90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
P100-P150 | ≥98,00 | <0,30 | ≤0,80 |
P180-P220 | ≥97,00 | <0,30 | ≤1,20 |
P230-P500 | ≥96,00 | <0,40 | ≤1,20 |
P600-P1500 | ≥95,00 | <0,40 | ≤1,20 |
P2000-P2500 | ≥93,00 | <0,50 | ≤1,20 |
Grana | Densità apparente (g/cm3) | Alta densità (g/cm3) | Grana | Densità apparente (g/cm3) | Alta densità (g/cm3) |
F16 ~ F24 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F100 | 1,36~1,45 | ≥1,45 |
F30 ~ F40 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F120 | 1.34~1.43 | ≥1,43 |
F46 ~ F54 | 1,43~1,51 | ≥1,51 | F150 | 1.32~1.41 | ≥1,41 |
F60 ~ F70 | 1,40~1,48 | ≥1,48 | F180 | 1.31~1.40 | ≥1,40 |
F80 | 1,38~1,46 | ≥1,46 | F220 | 1.31~1.40 | ≥1,40 |
F90 | 1,38~1,45 | ≥1,45 |
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